Fujitsu bringt ReRAM mit 12 Megabit auf den Markt, größte Speicherdichte im Bereich ReRAM

Yokohama, Japan, 16. März 2022

Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited hat am 15. März 2022 die Einführung eines ReRAM-Speichers mit 12 MBit (Resistive Random Access Memory), MB85AS12MTExternal Link, bekannt gegeben. Evaluierungsmuster sind derzeit verfügbar.

Bei dem neuen Produkt handelt es sich um einen nicht-flüchtigen Speicher mit einer großen Speicherdichte von 12 Megabit in einem sehr kleinen Gehäuse von etwa 2 mal 3 Millimtern. Er verfügt über einen außergewöhnlich niedrigen Lesestrom von durchschnittlich 0,15 Milliampere während des Lesevorgangs. Daher kann der Batterieverbrauch durch die Montage des MB85AS12MT in batteriebetriebenen Geräten mit häufigen Datenlesevorgängen minimiert werden.

Dank des kleinen Gehäuses und des geringen Lesestroms ist das Produkt ideal für den Einsatz in tragbaren Geräten wie Hörgeräten und Smartwatches.

Der MB85AS12MT arbeitet mit einem weiten Versorgungsspannungsbereich von 1,6 bis 3,6 Volt. Die Speicherdichte des neuen ReRAM Produktes ist 1,5 mal größer als die der bestehenden 8 Megabit ReRAM. Die Gehäusegröße WL-CSP (Wafer Level Chip Size Package) mit der gleichen Pinbelegung wird beibehalten. Das Produkt kann Zeichendaten für etwa 90 Zeitungsseiten in einem kleinen Paketformat speichern.

Das für den MB85AS12MT verwendete WL-CSP kann im Vergleich zu 8 Pin SOP, das häufig für Speichergeräte mit Serial Peripheral Interface (SPI) verwendet wird, ungefähr 80 Prozent seiner montierten Fläche einsparen.

Mit den oben genannten Funktionen kann das ReRAM-Produkt folgende Probleme lösen, die sich aus der Verwendung von Flash Speicher oder EEPROM bei der Entwicklung von tragbaren Geräten ergeben.

Fujitsu Semiconductor Memory Solution entwickelt weiterhin verschiedene Low Power Speicherprodukte, um den Anforderungen der Kunden gerecht zu werden.

Informationen zu Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited

Fujitsu Semiconductor Memory Solution konzentriert sich auf hochwertige und äußerst zuverlässige nichtflüchtige Speicher wie Ferroelectric Random Access Memory (FRAM) und Resistive Random-Access Memory (ReRAM). Es hat seinen Hauptsitz in Yokohama und wurde am 31. März 2020 als Tochtergesellschaft von Fujitsu Semiconductor Limited gegründet. Durch sein weltweites Vertriebsnetzwerk und Entwicklungsnetzwerk mit Standorten in Japan und in ganz Asien, Europa und Amerika bietet das Unternehmen Halbleiterspeicherlösungen für den weltweiten Markt an.